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Samsung commence la production de DRAM DDR5 sur la technologie de processus 12 nm et la DDR5-7200 est en préparation

Samsung a déclaré jeudi qu’il avait commencé à produire en masse des puces DRAM sur son dernier processus de fabrication en 12 nm. Le nouveau nœud de fabrication a permis à Samsung de réduire la consommation d’énergie de son matériel DRAM, ainsi que de réduire considérablement ses coûts par rapport au nœud de la génération précédente.

Selon l’annonce de Samsung, le processus de fabrication 12 nm de la société est utilisé pour produire des puces mémoire DDR5 de 16 Go. Et bien que la société produise déjà des puces DDR5 dans cette capacité (telles que la K4RAH086VB-BCQK), le passage à un processus plus récent et plus petit de 12 nm a porté ses fruits en termes de consommation d’énergie et de taille de puce. Par rapport aux matrices DDR5 fabriquées sur le nœud de génération précédente de l’entreprise (14 nm), les nouvelles matrices 12 nm fournissent jusqu’à 23 % de consommation d’énergie en moins, et Samsung peut produire 20 % de matrices en plus par puce (par exemple, les matrices DDR5 sont beaucoup plus petites).

Samsung affirme que la principale innovation de son processus de fabrication de DRAM 12 nm est l’utilisation d’un nouveau matériau de haute qualité pour ses condensateurs de cellules DRAM qui lui a permis d’augmenter la capacité des cellules pour améliorer les performances, mais sans augmenter leurs dimensions et leurs tailles. La plus grande capacité d’une cellule DRAM signifie que la cellule DRAM peut stocker plus de données et réduire les cycles de rafraîchissement consommant de l’énergie, augmentant ainsi les performances. Cependant, des condensateurs plus grands entraînent généralement une taille et une mort de cellule plus élevées, ce qui rend la puce résultante plus chère.

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Les fabricants de mémoire dynamique traitent ce problème en utilisant des matériaux de haute qualité depuis des années, mais trouver ce matériau devient plus difficile à chaque nouveau nœud, car les fabricants de mémoire doivent également tenir compte des rendements et de leur infrastructure de production. Apparemment, Samsung a réussi à le faire avec son nœud 12 nm, bien qu’il ne donne aucune divulgation à ce sujet. Le fait que Samsung ait réussi à réduire la taille de sa matrice de manière significative est assez remarquable, car les composants analogiques tels que les condensateurs ont été parmi les premiers morceaux de puces à cesser de rétrécir davantage en utilisant des nœuds de micro-processus.

En plus d’introduire un nouveau matériau de meilleure qualité, Samsung a également réduit la tension de fonctionnement et le bruit dans ses processeurs DDR5 12 nm pour offrir un meilleur équilibre entre performances et consommation d’énergie que ses prédécesseurs.

L’un des aspects de la technologie DRAM 12 nm de Samsung est qu’elle semble être 3 la sociétéRecherche et développement Noeud de production de mémoire utilisant la lithographie ultraviolette extrême. Le premier nœud, D1x, a été entièrement conçu comme une preuve de concept et son successeur, D1a, qui est utilisé depuis 2021, utilise EUV pour cinq couches. Pendant ce temps, il n’est pas clair dans quelle mesure le nœud 12 nm de Samsung utilise les outils EUV.

« Grâce à une technologie de traitement différenciée, la DRAM DDR5 de classe 12 nm de Samsung offre des performances et une efficacité énergétique impressionnantes », a déclaré Jooyoung Lee, vice-président exécutif, Produits et technologies DRAM, Samsung Electronics.

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Pendant ce temps, Samsung envisage également des vitesses de mémoire plus rapides avec sa nouvelle mémoire DDR5 12 nm. Selon la société, ces matrices peuvent fonctionner à DDR5-7200 (c’est-à-dire 7,2 Gbps/broche), ce qui est bien plus que ce que la spécification officielle JEDEC autorise actuellement. L’effort requis n’est pas mentionné, mais à tout le moins, il offre un peu d’espoir pour les futurs combos mémoire XMP/EXPO.

Cunégonde Lestrange

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